超薄区熔硅抛光片的抛光工艺

摘要

本发明涉及超薄区熔硅抛光片的抛光工艺，主要用于生产4英寸、5英寸、6英寸240μm厚的超薄区熔硅片经有蜡抛光工艺获得的超薄区熔硅抛光片达到：厚度公差：±3μm，TTV：≤5μm，TIR：≤3μm，STIR(15*15)：≤1.5μm，洁净度：＞0.3μm颗粒数：≤5个，采用本工艺获得的抛光片，一次合格率可以稳定达到90％以上；能解决在抛光超薄区熔硅片的过程中使化学反应作用与机械磨削作用达到平衡的问题，并能保证在抛光过程和铲片过程中无碎片发生，使加工超薄硅抛光片的难度降低，也符合国际抛光片向着厚度薄、尺寸大的方向发展，提高了基底硅区熔硅片抛光质量，对器件与集成电路的电学性能和成品率有着极其重要的影响，其技术对满足和适应大规模集成电路集成度提高的要求具有重大意义和实用价值。

主权项

超薄区熔硅抛光片的抛光工艺，适用于生产4英寸、5英寸、6英寸的超薄区熔硅抛光片，其特征在于，所述工艺包括以下次序的工艺步骤：(1)超薄区熔硅片贴蜡，贴蜡部的滴蜡量控制在每片2‑3ml范围；(2)将贴蜡后的超薄区熔硅片放到已预热的陶瓷板上进行贴片，陶瓷板温度控制范围为120‑150℃；(3)使用硅片压头对带有蜡膜的超薄区熔硅片进行加压，硅片压头的压力在10‑15psi之间进行调整；(4)粗抛光工艺，使用有蜡抛光系统进行两次粗抛光，粗抛光的压力为2‑4bar，每次粗抛光的时间控制在12‑15min，抛光过程中抛光垫温度控制在38℃以内；(5)中抛光工艺使用中抛机，中抛光压力在2‑3bar，时间8‑10min；(6)最终抛光工艺使用精抛机，精抛光的压力为1‑2bar，时间控制在8‑10min；(7)超薄区熔硅片抛光后，手动对硅抛光片进行剥离；根据上述方法，4英寸、5英寸、6英寸240μm厚的超薄区熔硅抛光片经有蜡抛光工艺获得的超薄区熔硅抛光片达到：厚度公差：±3μm；TTV：≤5μm，TTV为总厚度偏差；TIR：≤3μm，TIR为平整度；STIR 15*15：≤1.5μm，STIR为局部平整度；洁净度：＞0.3μm颗粒数：≤5个。