发明名称 一种真空离子镀膜方法
摘要 本发明涉及一种真空离子镀膜方法,属于真空镀膜技术领域。首先在镀膜设备的沉积室设置柱弧源和点弧源,待加工工件悬挂在工件架上;使工件转动,升温抽真空;向沉积室内通入氩气或氮气,调节真空度,对工件施加负偏压进行辉光放电清洗;提高沉积室真空度,向沉积室内通入氩气,调节真空度和柱弧源电流,对工件进行放电清洗;再调节氩气的进气量、真空度、负偏压、柱弧源的工作电流和点弧源的工作电流,开始镀膜,以形成底膜过渡层,继续调节工艺参数,依次快速沉积硬质膜层和细腻、致密和光亮的硬质膜层。本发明方法结合点电弧和柱弧镀膜的优点,改善了镀膜层的致密度和表面光洁度,提高了镀膜层在工件上的附着力,使工件长期保持表面色彩。
申请公布号 CN101654769B 申请公布日期 2011.01.05
申请号 CN200910091529.8 申请日期 2009.08.26
申请人 杭州泛亚卫浴股份有限公司 发明人 张伯良;王伟弟;何勤伟;郭洪明
分类号 C23C14/32(2006.01)I 主分类号 C23C14/32(2006.01)I
代理机构 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人 罗文群
主权项 一种真空离子镀膜方法,其特征在于该方法包括以下步骤:(1)在镀膜设备的沉积室的中心设置柱弧源,沉积室的圆周壁上设置点弧源,待加工工件悬挂在沉积室的柱弧源和点弧源之间的工件架上,柱弧源和点弧源的靶材为金属钛、锆或铬中的任何一种;(2)使工件转动速度为1~3转/分钟,使沉积室内的温度达到150℃~260℃,使沉积室内的真空度达到4×10‑2Pa~1×10‑2Pa;(3)向沉积室内通入氩气或氮气,气体流量为200~480cm3/分钟,调节真空度为4~1.5Pa,对工件施加负偏压300‑500V,对工件进行辉光放电清洗4~8分钟;(4)使沉积室内的真空度达到8×10‑3Pa~4×10‑3pa,向沉积室内通入氩气,进气量为100‑150cm3/分钟,调节真空度为5.0‑2.0×10‑2pa,调节柱弧源电流为200‑250A,对工件施加负偏压300‑400V,对工件进行放电清洗4~7分钟;(5)调节氩气的进气量为100‑300cm3/分钟,使真空度保持在5×10‑1Pa~3×10‑1Pa,对工件施加负偏压100‑180V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,点弧源的工作电流为70A~100A,镀膜时间为4分钟~8分钟;(6)向沉积室内通入反应气体,反应气体流量为50~450cm3/分钟,调节氩气的进气量,使真空度保持在5×10‑1Pa~3×10‑1Pa,对工件施加负偏压100‑180V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,点弧源的工作电流为70A~100A,镀膜时间为3分钟~5分钟;(7)使点弧源停止工作,调节反应气体和氩气的进气量,使真空度保持在5×10‑1Pa~3×10‑1Pa,对工件施加负偏压80‑120V,调节柱弧源的工作电流为150A~235A,镀膜时间为5分钟~8分钟。
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