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一种氟化物结晶之制造装置，具有底部有孔的储存氟化物原料融液的坩埚，使该坩埚中的氟化物原料加热熔融的步骤，及使面对该孔设置的种结晶下拉的步骤，藉由下拉该种结晶来制造氟化物单结晶之氟化物结晶之制造装置，其特征在于，该孔的长度系0~3mm，直径系0.1~5mm。如申请专利范围第1项所述的氟化物结晶之制造装置，其中，前述孔的长度系0~2mm。如申请专利范围第1或2项所述的氟化物结晶之制造装置，其中，前述坩埚系由碳、铂或铱构成。如申请专利范围第1或2项所述的氟化物结晶之制造装置，其中，前述氟化物系氟化钙、氟化钡、氟化镁的任何一种。一种以下拉法制造氟化物单结晶用的坩埚，其特征在于，底部具有长度0~3mm之孔，该孔直径为0.1~5mm。如申请专利范围第5项所述的坩埚，其中，前述孔之长度系0~2mm。如申请专利范围第5或6项所述的坩埚，其中，前述坩埚系由碳、铂或铱构成。一种氟化物单结晶之制造方法，其特征在于，于底部具有长度0~3mm、直径0.1~5mm之孔的坩埚中，储存氟化物原料，使该氟化物原料加热熔融，面对该孔设置种结晶，藉由下拉该种结晶来制造氟化物单结晶。如申请专利范围第8项所述的氟化物单结晶之制造方法，其中，下拉的速度系0.03~5mm/min。如申请专利范围第8或9项所述的氟化物单结晶之制造方法，其中，使融液温度为氟化物的熔点之0~100℃来进行下拉。 |
