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一种影像感测器之制造方法，该影像感测器系在半导体基板上配置复数个感测器部，该感测器部系具有：第1光电二极体，系包含第1导电型之第1区域和异于上述第1导电型之第2导电型之第2区域；以及第2光电二极体，系包含上述第2区域和上述第1导电型之第3区域；该制造方法的步骤系包括：在业已形成于半导体基板上之上述第1区域上，以磊晶成长之方式形成上述第2导电型之上述第2区域的步骤；在上述第2区域上，以磊晶成长之方式形成上述第1导电型之上述第3区域的步骤；以及在上述第3区域中，于感测器表面部掺杂上述第1导电型杂质，而形成杂质浓度高于上述第3区域的其他部分之上述第1导电型的第4区域，而上述第4区域系设置在该影像感测器中设置于与受光区域对应之上述第3区域的表面部分的步骤。如申请专利范围第1项之影像感测器之制造方法，其中，形成上述第2区域的步骤系包括：在上述第1区域上之包含相当于上述第2区域之区域的范围形成上述第2导电型之第1磊晶层的步骤；形成上述第3区域的步骤系包括：在上述第1磊晶层上之包含相当于上述第3区域之区域的范围形成上述第1导电型之第2磊晶层的步骤；而上述影像感测器之制造方法复包括：将上述第1导电型杂质掺杂至从上述第1磊晶层至上述第2磊晶层之预定区域，而形成杂质浓度高于上述第3区域的上述第1导电型之井层，藉此，由上述井层隔离上述第1磊晶层而形成复数个上述第2区域，以及，由上述井层隔离上述第2磊晶层而形成复数个上述第3区域的步骤。如申请专利范围第2项之影像感测器之制造方法，复包括：在形成上述井层的步骤后，将上述井层之表面以及其附近予以选择性氧化，以形成元件隔离区域的步骤。如申请专利范围第1项之影像感测器之制造方法，复包括：在上述半导体基板形成功能元件的步骤。如申请专利范围第1项之影像感测器之制造方法，复包括：在上述半导体基板形成互补型金氧半导体(CMOS)的步骤。一种影像感测器，具备有配置于半导体基板上之复数个感测器部，各感测器部系包括：感测器表面；第1导电型之第1区域，系形成于上述半导体基板；异于上述第1导电型之第2导电型的第2区域，系藉由磊晶成长之方式形成于该第1区域上；第1导电型之第3区域，系藉由磊晶成长之方式形成于该第2区域上，且上述感测器表面除了该感测器表面的中央部分之外系包含该第3区域；以及第1导电型之第4区域，系包含于上述第3区域，并形成于上述第3区域的感测器表面部，且杂质浓度高于上述第3区域的其他部分，且系设置在该影像感测器中与受光区域对应之上述第3区域的表面部分；而各感测器部系具有包含上述第1区域和上述第2区域之第1光电二极体、以及包含上述第2区域和上述第3区域之第2光电二极体。如申请专利范围第6项之影像感测器，其中，该影像感测器系具备复数个上述第2及第3区域，且进一步包含有：第1导电型之井层，杂质浓度高于上述第3区域，且配置于邻接之上述感测器部之上述第2及第3区域之间。如申请专利范围第6项之影像感测器，复包括形成于井区域上，由氧化物所构成的元件隔离区域。如申请专利范围第6项之影像感测器，复包括用以施加逆向偏压电压至上述第1及第2光电二极体的电源。如申请专利范围第6项之影像感测器，复包括形成于上述半导体基板上的功能元件。如申请专利范围第6项之影像感测器，其中，系于上述半导体基板形成有互补型金氧半导体(CMOS)。如申请专利范围第3项之影像感测器之制造方法，复包含有：形成上述第1导电型之高浓度区域之步骤，该高浓度区域系形成于上述元件分离区域与上述第3区域之间，并具有高于上述第3区域的杂质浓度，且空乏层未扩散至形成于上述元件分离区域附近的缺陷区域；形成上述高浓度区域的步骤系包含有下述步骤：在上述第2磊晶层中，于包含上述元件分离区域与上述第3区域之间的区域之预定区域掺杂上述第1导电型的杂质。如申请专利范围第6项之影像感测器，其中，上述感测器表面的上述中央部分系包含上述第2区域。如申请专利范围第6项之影像感测器，其中，上述感测器表面的上述中央部分系包含上述第2导电型的第5区域。如申请专利范围第14项之影像感测器，其中，上述第5区域系包含上述第1光电二极体以及上述第2光电二极体用的电极取出区域。如申请专利范围第8项之影像感测器，复包含有第1导电型的高浓度区域，该高浓度区域系形成于上述元件分离区域与上述第3区域之间，并具有高于上述第3区域的杂质浓度，且空乏层未扩散至形成于上述元件分离区域附近的缺陷区域。一种影像感测器，具备有配置于半导体基板上之复数个感测器部，各感测器部系包括：感测器表面；第1导电型之第1区域，系形成于上述半导体基板；异于上述第1导电型之第2导电型的第2区域，系藉由磊晶成长之方式形成于该第1区域上；第1导电型之第3区域，系藉由磊晶成长之方式形成于该第2区域上；以及第1导电型之第4区域，系包含于上述第3区域，并形成于上述第3区域的表面部，且杂质浓度高于上述第3区域的其他部分，且系设置在该影像感测器中与受光区域对应的上述第3区域的感测器表面部分；而且，各感测器部系具有包含上述第1区域和上述第2区域之第1光电二极体、以及包含上述第2区域和上述第3区域之第2光电二极体；该影像感测器复包含有：第1导电型之井层，其杂质浓度系高于上述第3区域，且配置于邻接之一对上述感测部各者的上述第2区域以及第3区域之间；元件分离区域，系形成于上述井层上，由氧化物所构成；以及第1导电型的高浓度区域，系形成于上述元件分离区域与上述第3区域之间，并具有高于上述第3区域的杂质浓度，且空乏层未扩散至形成于上述元件分离区域附近的缺陷区域。 |
