| 发明名称 | 一种离子注入装置和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提出一种离子注入装置和方法，装置包括：离子源；极板，设置于上述离子束的传播通道两侧；LENS磁场，设置于上述偏转电压场之后；晶片支座：包括用于放置晶片的晶片支持面，位于所述晶片支持面背面直径处的转动轴，与晶片支持面连接的水平旋转轴。方法包括以下步骤：根据晶片上特征尺寸的分布，设定离子束竖直方向上不均匀分布；控制晶片支座的水平旋转轴来控制晶片以晶片圆心为原点进行旋转，使晶片任一直径上离子浓度和离子束X方向的分布成正比。本发明使注入同一晶片的离子注入量呈不均匀分布，从而在同一晶片上调整VT分布，使不同元器件的开启电压的差别减小。 | ||
| 申请公布号 | CN101928927A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200910150033.3 | 申请日期 | 2009.06.18 |
| 申请人 | 和舰科技(苏州)有限公司 | 发明人 | 陈雪峰 |
| 分类号 | C23C14/48(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/48(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京连和连知识产权代理有限公司 11278 | 代理人 | 郑光 |
| 主权项 | 一种离子注入装置，其特征在于，包括：离子源，用于向晶片注射离子束；极板，设置于上述离子束的传播通道两侧，用于产生偏转电压场；LENS磁场，设置于上述偏转电压场之后，用于将发散的离子束变平行；晶片支座，包括用于放置晶片的晶片支持面，位于所述晶片支持面背面直径处的转动轴，与晶片支持面连接的水平旋转轴。 | ||
| 地址 | 215025 江苏省苏州市苏州工业园区星华街333号 | ||