| 发明名称 | 制造双取向IV族半导体衬底的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及制造双取向IV族半导体衬底的方法，包括在DSB之类的衬底中仅在表面层第一横向区域中进行遮蔽非晶化，以及仅在第一横向区域中进行表面层的固相外延再生长，以便建立其(100)取向。接着，在表面层上制造覆盖层，随后制造隔离区，其将(110)取向的第一横向区域与(100)取向的第二横向区域彼此横向隔离。然后，相对于隔离区以选择性方式去除覆盖层，以使第一和第二横向区域的表面层露出，并采用外延生长方法再填充隔离区之间的第一和第二横向区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101933133A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200980103242.0 | 申请日期 | 2009.01.20 |
| 申请人 | NXP股份有限公司;ST微电子简化股份公司 | 发明人 | 格里高里·F·比达尔;法布里切·A·贝耶;尼古拉斯·卢贝特 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 王波波 |
| 主权项 | 一种制造双取向IV族半导体衬底{700}的方法，包括步骤：提供(100)取向的IV族半导体衬底{702}和在衬底上的(110)取向的IV族半导体表面层{704}；仅在表面层的第一横向区域{710}中进行遮蔽非晶化{712，714}，在第一横向区域中期望有(100)取向的表面；仅在第一横向区域{712}中进行表面层{706}的固相外延再生长，以便建立其(100)取向；在表面层{706}上制造覆盖层{720}；制造隔离区{722，822}，隔离区{722，822}从覆盖层{720}的表面向内衬底延伸至少到表面层{706}，并且使(100)取向的第一横向区域{710}和(110)取向的第二横向区域{718}彼此横向隔离；以选择性方法相对于隔离区{722}去除覆盖层，以使第一和第二横向区域中的表面层{706}露出；以及通过进行IV族半导体材料的外延生长，在隔离区{722}之间再填充第一和第二横向区域{710，718}。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||