| 发明名称 | 氮化物半导体衬底、其制法及氮化物半导体发光器件用外延衬底 | ||
| 摘要 | 本发明提供了即使使用具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体也可以维持外延特性的面内均一性、确保器件的高成品率和高可靠性的氮化物系半导体衬底及其制造方法，以及使用该氮化物系半导体衬底的氮化物系半导体发光器件用外延衬底。在直径25mm以上的异种衬底上，外延生长厚度2mm以下的具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体，然后除去异种衬底，得到厚度方向的热阻值为0.02～0.5Kcm2/W以下的氮化物系半导体衬底。在该氮化物系半导体衬底上外延生长由氮化物系半导体构成的发光层，成为氮化物系半导体发光器件用外延衬底。 | ||
| 申请公布号 | CN101060102B | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN200710135923.8 | 申请日期 | 2007.03.12 |
| 申请人 | 日立电线株式会社 | 发明人 | 大岛佑一 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I;C30B29/38(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;C30B25/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 葛松生 |
| 主权项 | 氮化物系半导体衬底，该衬底的直径为25mm以上，是由具有三元以上混晶组成的氮化物系半导体晶体构成的自支撑衬底，其特征在于，厚度为250μm以上且厚度方向的热阻值是0.02～0.5Kcm2/W，除了用于上述衬底的导电控制的掺杂剂之外的点缺陷的浓度合计为1×1018cm 3以下。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||