发明名称 |
实现可重构光分插复用器的结构及其制造方法 |
摘要 |
一种实现可重构光分插复用器的结构,是在基于绝缘体上的硅的波导结构上实现的,其特征在于,包括:一马赫-曾得干涉仪结构包括输入端口、下路端口、上路端口、输出端口、第一干涉臂、第二干涉臂,其功能是实现光的上下路;第一、第二多模干涉仪,该第一多模干涉仪连接上路端口、下路端口与第一干涉臂、第二干涉臂,第二多模干涉仪连接第一干涉臂的另一端,第二干涉臂的另一端与上路端口,输出端口;第一、第二布拉格光栅,该第一、第二布拉格光栅制作在干涉臂上,其功能是选择上下路的波长;第一、第二加热电极,该第一、第二加热电极制作在干涉臂上,覆盖第一、第二布拉格光栅区域,以实现改变波导的有效折射率,从而实现对所述上下路波长的选择。 |
申请公布号 |
CN1845484B |
申请公布日期 |
2010.12.29 |
申请号 |
CN200510063878.0 |
申请日期 |
2005.04.08 |
申请人 |
中国科学院半导体研究所 |
发明人 |
辛红丽;李芳;刘育梁 |
分类号 |
H04J14/02(2006.01)I;G02B6/10(2006.01)I;G02B6/124(2006.01)I;G02B6/136(2006.01)I |
主分类号 |
H04J14/02(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汤保平 |
主权项 |
一种实现可重构光分插复用器结构的制造方法,是在基于绝缘体上的硅的波导结构上实现的,其特征在于,该方法包括以下步骤:(1)在基于绝缘体上的硅基片上用湿法腐蚀的方法刻蚀两个布拉格光栅;(2)刻蚀脊型波导,实现马赫 曾得干涉仪结构,保证两干涉臂上两个布拉格光栅相同,其中是先设计马赫 曾得干涉仪结构的版图;制版;高温热氧化或化学气相沉积方法在基片上形成一层二氧化硅作为掩蔽层;利用光刻及湿法各向异性腐蚀或干法反应离子刻蚀在基片刻蚀出马赫 曾得干涉仪结构;高温热氧化或化学气相沉积方法在基片上形成一层二氧化硅保护层;(3)蒸镀金属电极,该金属电极制作在干涉臂上,覆盖两个布拉格光栅,完成可重构光分插复用器的制作。 |
地址 |
100083 北京市海淀区清华东路甲35号 |