| 发明名称 | 透明导电性膜和用于制造透明导电性膜的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种透明导电性膜及其制造方法。该透明导电性膜包括：透光的膜基材、在膜基材上设置的碳纳米管层、以及透光并沉积在碳纳米管层上的金属氧化物层，该金属氧化物层设置有裂纹。 | ||
| 申请公布号 | CN101930808A | 申请公布日期 | 2010.12.29 |
| 申请号 | CN201010199980.4 | 申请日期 | 2010.06.10 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 丸山竜一郎 |
| 分类号 | H01B5/14(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;B32B9/04(2006.01)I;B32B27/06(2006.01)I;B32B3/14(2006.01)I | 主分类号 | H01B5/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 吴孟秋;梁韬 |
| 主权项 | 一种透明导电性膜，包括：透光的膜基材，在所述膜基材上设置的碳纳米管层，以及透光并沉积在所述碳纳米管层上的金属氧化物层，所述金属氧化物层设置有裂纹。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||