发明名称 二极管和包括该二极管的光传感器电路以及显示装置
摘要 构成本发明的二极管的偶数个光电二极管(1、2)具备各区域(1a~1c和2a~2c),各区域(1a~1c和2a~2c)沿上述特定方向的尺寸与基准二极管(5)相同,沟道宽度相对于基准二极管(5)的沟道宽度W为1/2。另外,沿与基准二极管(5)的沟道长度L平行的特定方向平行地布局各区域(1a~1c和2a~2c),相互的位置关系整体成为线对称或者点对称。进而,光电二极管(1、2)相互电并联连接,由此起到与上述基准二极管(5)同等的作用。由此,提供能够使得特性稳定,并且能够缩小二极管占基板的占有面积的二极管的结构。
申请公布号 CN101933165A 申请公布日期 2010.12.29
申请号 CN200980103935.X 申请日期 2009.01.14
申请人 夏普株式会社 发明人 田中耕平;C·布朗
分类号 H01L31/10(2006.01)I;G01J1/02(2006.01)I;G02F1/133(2006.01)I;G02F1/1368(2006.01)I 主分类号 H01L31/10(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳
主权项 一种二极管,其特征在于:以下述二极管作为基准二极管,该二极管中,杂质浓度相对高且显示出第一极性的第一半导体区域、作为杂质浓度相对低的半导体区域的沟道区域、和杂质浓度相对高且显示出与第一极性相反的极性的第二半导体区域相互接触,并且沿着包含在基板的面内的特定方向依次排列,在将该基准二极管的沟道宽度设为W时,具备N个二极管,其中N为2以上的偶数,该N个二极管不改变与基准二极管的沟道长度平行的所述特定方向的各半导体区域的尺寸,沟道宽度比所述沟道宽度W小,并且具备相互实质上相等的沟道宽度W1,分别构成所述N个二极管的各半导体区域的排列方向全部与所述特定方向平行,并且按照所述各半导体区域的相互的位置关系整体成为线对称或者点对称的位置关系的方式配置在所述基板上,所述N个二极管相互电连接,由此,能够起到与所述基准二极管同等的作用。
地址 日本大阪府
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