Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten sowie Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbaulements, insbesondere einer Solarzelle, mit einem solchen Halbleiterschichtsubstrat

摘要

Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-poröse Schichten (33, 37) und hoch-poröse Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden. Beispielsweise kann auf der gesamten Oberfläche der niedrig-porösen Schichten (33, 37) und hoch-porösen Schichten (35, 39) eine passivierende Dielektrikumschicht (45) ausgebildet werden. Anschließend können die niedrig-porösen Schichten nacheinander voneinander mechanisch getrennt werden, wobei die dazwischen liegenden hoch-porösen Schichten jeweils als Sollbruchstelle dienen können. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von niedrig-porösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden. Die derart erzeugten Halbleiterschichtsubstrate können beispielsweise für die Herstellung von Halbleiterbauelementen wie zum Beispiel dünnen Solarzellen verwendet werden.