一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法

摘要

本发明公开了一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法，所述方法通过在所述高阻值半导体衬底上制备一简单电感器，测量所述简单电感器在不同热预算下的Q值，同时采用高频结构仿真器对所述电感器进行模拟，模拟该电感器在不同衬底电阻下的Q值变化率，并与所述测量得到的不同热预算下的Q值进行对比，从而通过非接触的方式得到所述不同热预算下的Q值对应的高阻值半导体衬底的电阻值。本发明所提供的方法可有效地测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算的变化，并且简单可靠。

主权项

一种测量高阻值半导体衬底的电阻随热预算变化的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在所述高阻值半导体衬底上沉积一层绝缘层；在所述绝缘层上淀积一层金属，形成一电感器；测量所述电感器在不同热预算下的Q值；采用高频结构仿真器对所述电感器进行模拟，模拟该电感器在不同衬底电阻下的Q值变化率；将所述模拟得到的不同衬底电阻下的Q值变化率与所述测量得到的不同热预算下的Q值进行对比，得到所述不同热预算下的Q值对应的高阻值半导体衬底的电阻值。