| 发明名称 | 改进的空穴迁移聚合物太阳能电池 | ||
| 摘要 | 一种太阳能电池，包括光电材料和至少一个聚合物层。在进一步的实施方案中，第一聚合物层电连接于光电材料，并具有高的缺陷密度以便于空穴迁移，并且第二层与第一聚合物层电连接，并具有低的缺陷态密度以便于空穴传输。在另一个实施方案中，p-型聚合物层与光电材料电连接，并通过改变聚合物晶格，p-型聚合物层被构造为具有减小了的晶格重组能量。 | ||
| 申请公布号 | CN101924185A | 申请公布日期 | 2010.12.22 |
| 申请号 | CN201010228615.1 | 申请日期 | 2010.05.27 |
| 申请人 | 霍尼韦尔国际公司 | 发明人 | M·N·米黑拉;B·塞尔班;V·G·杜米特鲁 |
| 分类号 | H01L51/42(2006.01)I;H01L51/46(2006.01)I;H01L51/48(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 范赤;李连涛 |
| 主权项 | 一种太阳能电池，包括：光电材料；电连接于光电材料的第一聚合物层，第一聚合物层具有高的缺陷密度以便于空穴迁移；和电连接于第一聚合物层的第二层，第二层具有低的缺陷态密度以便于空穴传输。 | ||
| 地址 | 美国新泽西州 | ||