发明名称 薄膜晶体管阵列基板及其修补方法
摘要 本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板,关键在于,在像素区域中还设置有第一元件和第二元件,第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极,第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极。这种具有像素修补结构的薄膜晶体管阵列基板,在发生像素亮点缺陷后,利用本发明提供的一种薄膜晶体管阵列基板的修补方法,从而最终达到液晶电容两端的电压接近于最暗灰阶L0对应的压差VL0,因此从不同视角观看时都不会发生漏光。
申请公布号 CN101442058B 申请公布日期 2010.12.22
申请号 CN200810186697.0 申请日期 2008.12.16
申请人 昆山龙腾光电有限公司 发明人 钟德镇;廖家德
分类号 G02F1/1362(2006.01)I;G02F1/13(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I 主分类号 G02F1/1362(2006.01)I
代理机构 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 代理人 宋志强;麻海明
主权项 一种薄膜晶体管阵列基板,包括衬底基板、形成于衬底基板上的多条栅极线、公共电极线、与栅极线相互绝缘交叉设置的多条数据线、设置于所述数据线和所述栅极线相互交叉形成的像素区域中的像素电极,以及设置在所述数据线和所述栅极线的交叉处附近的薄膜晶体管,其特征在于,在所述像素区域中还设置有第一元件和第二元件,所述第一元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第一源极和第一漏极,第二元件包括直接覆盖衬底基板表面的栅极绝缘层、形成于所述栅极绝缘层上的半导体层以及形成于半导体层上的第二源极和第二漏极,第一元件的第一漏极与第二元件的第二源极一体连接,第一元件的第一源极在衬底基板平面上的投影与所述公共电极线部分重叠,第二元件的第二漏极在衬底基板平面上的投影与栅极线部分重叠,所述像素电极在衬底基板平面上的投影与一体连接的第一元件的第一漏极与第二元件的第二源极部分重叠,其中第一源极和第一漏极限定的半导体层中的沟道具有第一沟道宽长比,第二源极和第二漏极限定的半导体层中的沟道具有第二沟道宽长比,所述第一沟道宽长比为第一元件的第一源极/漏极之一的宽度与第一元件的第一源极和第一漏极之间的间隔的比值,所述第二沟道宽长比为第二元件的第二源极/漏极之一的宽度与第二元件的第二源极和第二漏极之间的间隔的比值,通过预先调整第一沟道宽长比或第二沟道宽长比来调节第一元件或第二元件的阻值,以在公共电极线与第一元件的第一源极连接、第一元件的第一栅极线与第二元件的第二漏极及第二栅极线连接时,调整连接在公共电极线与第一元件的第一漏极之间液晶电容两端的电压,以使得该电压等于最暗灰阶对应的压差。
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