一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法

摘要

本发明公开了一种测定聚合物玻璃化转变温度的方法。用于测定的有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。通过测定不同温度下的有机场效应晶体管的转移曲线，得到该半导体器件的场效应迁移率随温度的变化曲线，该曲线的斜率转折点所对应的温度就是作为绝缘层的聚合物的玻璃化转变温度。该方法的操作简便，制备工艺简单，只需对一个半导体器件进行测定，就可同时测出聚合物薄膜的本体和表面玻璃化转变温度两个特征温度，且重现性好。

主权项

一种有机场效应晶体管，依次包括基板、位于所述基板上的源电极和漏电极，覆盖所述基板、源电极和漏电极的有机半导体薄膜层、位于所述有机半导体薄膜层之上的绝缘层和覆盖所述绝缘层的栅极；所述栅极在所述绝缘层上的覆盖面积小于所述基板面积。