发明名称 阻止取代的环四硅氧烷聚合的稳定剂
摘要 本发明是:(a)一种使环四硅氧烷诸如1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷稳定而阻止聚合的方法,其被用于电子材料制造中硅氧化物的化学气相沉积工艺,该方法包括:向所述环四硅氧烷中提供一种有效量的中性至弱酸性聚合反应抑制剂;和(b)一种被稳定而阻止聚合的环四硅氧烷诸如1,3,5,7-四甲基环四硅氧烷的组合物,其被作为电子材料制造中硅氧化物的前体用于化学气相沉积工艺,该组合物包含所述环四硅氧烷和一种中性至弱酸性聚合反应抑制剂。一种自由基清除剂也能够被包括在所述方法和所述组合物中。
申请公布号 CN1911937B 申请公布日期 2010.12.22
申请号 CN200610114834.0 申请日期 2002.12.20
申请人 气体产品与化学公司 发明人 S·G·马约加;M·肖;T·R·加夫尼
分类号 C07F7/21(2006.01)I;C23C16/42(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I;C07B57/00(2006.01)I 主分类号 C07F7/21(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 谭明胜;梁谋
主权项 1.一种使环四硅氧烷稳定而阻止聚合的方法,其被用于电子材料制造中硅氧化物的化学气相沉积工艺,所述环四硅氧烷具有下式:<img file="FSB00000172973700011.GIF" wi="652" he="643" />其中R<sup>1-7</sup>分别选自于氢、正态、支化或环状C<sub>1-10</sub>烷基和C<sub>1-4</sub>烷氧基,该方法包括:对所述环四硅氧烷中提供100-1000ppm的抑制剂,其中所述抑制剂选自:β-二酮类RC(O)CH<sub>2</sub>C(O)R;脂族羧酸类RCOOH;脂族二羧酸类HOOC-(CH<sub>2</sub>)<sub>n</sub>-COOH,其中1≤n≤8;多元醇类CH<sub>2</sub>X(CHX)<sub>n</sub>CH<sub>2</sub>X,其中X=H或OH,但是至少一个X=OH且1≤n≤8;酐类RCH<sub>2</sub>-C(O)-O-C(O)-CH<sub>2</sub>R;氢化硅氧烷类R<sub>3</sub>Si-(O-SiR<sub>2</sub>)<sub>n</sub>OSiR<sub>3</sub>,其中0≤n≤8;其中R分别选自于氢、正态、支化或环状C<sub>1-10</sub>烷基;及其混合物。
地址 美国宾夕法尼亚州