发明名称 |
一种绝缘体上应变硅制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种绝缘体上应变硅制备方法,其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10-30nm,然后在超薄的顶层硅上外延Si1-xGex,Si1-xGex应变层的厚度不超过其临界厚度;进行离子注入,选择合适的能量,使离子注入到埋氧和衬底硅的界面;进行退火工艺,使应变的Si1-xGex层进行弛豫,同时,顶层硅受到拉伸的应力,离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松,顶层硅成为应变硅;将剩余的Si1-xGex层移除,得到所需的应变硅材料。由此可见,本发明的最大优点是通过离子注入和外延工艺,而不需要键合工艺,直接将外延SiGe材料的应力反转,直接将应力转移到绝缘体上硅的顶层硅中,从而可望大大简化绝缘体上应变硅的制备工艺。 |
申请公布号 |
CN101916741A |
申请公布日期 |
2010.12.15 |
申请号 |
CN201010223281.9 |
申请日期 |
2010.07.09 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所;上海新傲科技股份有限公司 |
发明人 |
张苗;张波;王曦;薛忠营;魏星;武爱民 |
分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/762(2006.01)I |
代理机构 |
上海智信专利代理有限公司 31002 |
代理人 |
潘振甦 |
主权项 |
一种绝缘体上应变硅制备方法,其特征在于将SOI的顶层硅热氧化减薄至10 30nm,然后在超薄的顶层硅上外延Si1 xGex,Si1 xGex应变层的厚度不超过其临界厚度;进行离子注入,选择合适的能量,使离子注入到埋氧和衬底硅的界面;进行退火工艺,使应变的Si1 xGex层进行弛豫,同时,顶层硅受到拉伸的应力,离子注入使得埋氧和衬底硅的界面疏松,顶层硅成为应变硅;将剩余的SiGe层移除,得到所需的应变硅材料。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |