| 发明名称 | 非晶碳膜的处理方法以及使用其的半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 提供一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。 | ||
| 申请公布号 | CN101919031A | 申请公布日期 | 2010.12.15 |
| 申请号 | CN200980102550.1 | 申请日期 | 2009.01.09 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 石川拓;松冈孝明 |
| 分类号 | H01L21/314(2006.01)I;H01L21/3065(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/314(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 肖善强;南霆 |
| 主权项 | 一种非晶碳膜的处理方法，其中，所述非晶碳膜被形成在衬底上，并在被干蚀刻后实施了湿式洗涤处理，所述非晶碳膜的处理方法包括以下步骤：准备具有经湿式洗涤处理后的非晶碳膜的衬底；以及在向所述经湿式洗涤处理后的非晶碳膜上形成上层之前，进行非晶碳膜的表面改性处理。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||