发明名称 铝表面微凹槽制备方法
摘要 本发明公开了一种新的一种铝表面微凹槽制备方法,属于机械制备技术领域。本发明通过光刻和湿法刻蚀制备硅微结构,通过硅微结构压印铝表面获得微凹槽,从而实现铝表面微凹槽的可控制备。光刻刻蚀可以控制硅微结构的形状和周期,具有很好的精度,并可批量制备硅微结构,从而大大提高效率,因此克服了现有方法不可控或精度低、效率低的不足。该方法可用于船舶及水下航行器减阻。
申请公布号 CN101913052A 申请公布日期 2010.12.15
申请号 CN201010221857.8 申请日期 2010.07.08
申请人 西北工业大学 发明人 何洋;刘振亚;任森;陈俊;田梦君;乔大勇;苑伟政;姜澄宇
分类号 B23P9/02(2006.01)I;C23F1/02(2006.01)I;C23F1/24(2006.01)I 主分类号 B23P9/02(2006.01)I
代理机构 西北工业大学专利中心 61204 代理人 吕湘连
主权项 一种铝表面微凹槽的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:步骤一:设计制作掩模;步骤二:选用<100>晶向,单面抛光的硅片,并清洗硅片;步骤三:在硅片上沉积氮化硅或者二氧化硅牺牲层,作为微结构湿法刻蚀掩模层;涂覆光刻胶,作为光刻图形转移层;步骤四:光刻,曝光,显影,将掩模上的图形转移到光刻胶上;步骤五:将硅片放入牺牲层刻蚀液中,刻蚀掉暴露的牺牲层,使图形转移到牺牲层上;步骤六:将硅片放入刻蚀液中进行刻蚀;步骤七:清洗残余牺牲层和光刻胶,获得具有不同形状和周期的硅微结构;步骤八:在硅微结构上溅射银膜或铬膜;步骤九:将硅微结构朝下,置于铝表面上,在硅微结构上施加120N 500N的压力,在铝表面形成微凹槽。
地址 710072 陕西省西安市友谊西路127号