发明名称 覆盖精度测量游标及其形成方法
摘要 一种覆盖精度测量游标及其形成方法。根据一个实施例,形成覆盖精度测量游标的方法包括以下步骤:在半导体衬底上的预定区域中形成游标图案;使用所述游标图案作为掩模来蚀刻半导体衬底,形成第一深度的沟槽;形成另一游标图案,其具有比所述游标图案的宽度更宽的宽度,所述另一游标图案包括所述游标图案;使用所述另一游标图案作为掩模来执行蚀刻工艺,由此形成第二深度的沟槽,其具有预定宽度的阶梯;剥离所述游标图案和所述另一游标图案,且然后形成绝缘膜来掩埋沟槽;以及,蚀刻绝缘膜使得游标区域的半导体衬底暴露。
申请公布号 CN101034698B 申请公布日期 2010.12.01
申请号 CN200610098828.0 申请日期 2006.07.13
申请人 海力士半导体有限公司 发明人 沈贵潢
分类号 H01L23/544(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/544(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 杜诚;李春晖
主权项 一种覆盖精度测量游标,包括:两个或更多的第一游标,形成在半导体衬底的预定区域中且它们彼此隔开,所述第一游标具有一宽度;以及在所述第一游标上形成的第二游标,所述第二游标具有比第一游标的宽度窄的宽度。
地址 韩国京畿道利川市