半导体激光装置

摘要

本发明提供了一种半导体激光装置，其结构包括半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，发射面和反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面出射的光，光电二极管在光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用。发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，第一电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λf和第二电介质多层膜的反射率在峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。

主权项

一种半导体激光装置，包括：半导体激光器芯片，具有发射面和反射面，所述发射面和所述反射面是谐振器的相对的端面；以及光电二极管，用于探测从所述反射面侧出射的光，所述光电二极管在所述光电二极管的灵敏度随波长增长而增高的波长带中使用，其中，所述发射面具有形成于所述发射面上的第一电介质多层膜，所述反射面具有形成于所述反射面上的第二电介质多层膜，以及其中，所述第一电介质多层膜的反射率达到峰值时的波长λf和所述第二电介质多层膜的反射率达到峰值时的波长λr满足关系λf＜λr。