发明名称 超高频RFID读写器中的工作频率可调的低噪声放大器
摘要 本发明涉及一种中心频率可调的超高频RFID读写器中的低噪声放大器,通过在输入端采用二阶交调电流注入结构以提高线性度;而在输出端采用开关电容的结构实现中心工作频率可调。二阶交调电流注入结构是通过对MOS管的非线性特性进行分析,然后得出使三阶交调电流值为0时的注入电流值;在输出端,采用MOS管与电容的连接方式组成开关电容对,当MOS管导通时,电容被接入,当MOS截至时,电容断开,也即通过MOS的导通与断开实现了在输出端电容值的改变。根据<img file="200910227018.4_AB_0.GIF" wi="98" he="48" />可知,当电感值L不变,而电容值C改变时,中心工作频率也会随着电容值C的改变而改变,这就实现了低噪声放大器的中心工作频率可调。本发明提出的混频器的工作电压为1.2V,功耗低,符合低电压低功耗的要求,简化电路结构、降低功耗以及扩展中心工作频率点等方面有很大的指导意义。
申请公布号 CN101895261A 申请公布日期 2010.11.24
申请号 CN200910227018.4 申请日期 2009.11.25
申请人 湖南大学 发明人 王春华;汪飞;袁超;郭胜强;许静;张秋晶;何海珍;郭小蓉;易波
分类号 H03F3/189(2006.01)I;H03F1/26(2006.01)I 主分类号 H03F3/189(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 一种低噪声放大器,包括:第一级NMOS管为源电流注入结构,第二级NMOS管构成差分输入对,第三级NMOS管构成差分输出对;输入端差分输入信号,输出端差分输出信号;差分输入端采用电容、电感的连接方式连接以实现输入端信号的匹配,输出端接电感以实现差分电路的两端输出匹配;第一级NMOS管的漏级与第二级晶体管的源级相连,为第二级NMOS管提供电流源,第二级差分对和第三级差分对构成cascode(共源共栅)结构。
地址 410082 湖南省长沙市岳麓区湖南大学