发明名称 | 一种碳纳米管-电极结构及基于该结构的温度传感器芯片 | ||
摘要 | 本实用新型公开一种碳纳米管-电极结构及基于该结构的温度传感器芯片,包括基底、碳纳米管、电极,所述电极成对设置在基底上,所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。碳纳米管具有良好的导热性,并且金属性碳纳米管的电阻率会随温度的变化而发生改变。利用碳纳米管电阻率随温度变化的性质,本专利提出了一种能够利用碳纳米管-电极作为温度传感单元的具有低能耗、高灵敏度的传感器芯片结构,该传感器芯片在2mm×2mm的区域内集成了8个独立温度传感单元。所述温度传感器芯片结构,可以利用介电泳技术实现碳纳米管在微电极阵列上的装配,形成碳纳米管-金属电极的温度传感单元,并最终形成碳纳米管温度传感器。 | ||
申请公布号 | CN201653962U | 申请公布日期 | 2010.11.24 |
申请号 | CN200920288330.X | 申请日期 | 2009.12.23 |
申请人 | 中国科学院沈阳自动化研究所 | 发明人 | 董再励;于海波;王越超;田孝军;曲艳丽;李文荣 |
分类号 | G01N27/18(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/18(2006.01)I |
代理机构 | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人 | 俞鲁江 |
主权项 | 1.一种碳纳米管-电极结构,其特征在于:包括基底、碳纳米管、电极,所述电极成对设置在基底上,所述碳纳米管与所述的一对电极间电连接。 | ||
地址 | 110016 辽宁省沈阳市东陵区南塔街114号 |