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一种电子构件，特别是RFID询答机，具有至少一逻辑闸，其特征在：该逻辑闸(3)由数个施在一共同基质(10)上的层构成，这些层包含至少二个电极层、至少一个由液体施覆的半导体层(13)(23)(特别具有机半导体层)、及一绝缘层，且其设计方式使该逻辑闸至少包含二个不同方式构建的场效电晶体(1)(2)，至少有一场效电晶体(1)或(2)具有一种顶闸朝向，该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有由液体施覆的半导体层(13)(23)，其半导体材料互不同；或者，该至少二个不同的场效电晶体具有由液体施覆的绝缘层(14)(24)，其绝缘材料不同；或者该至少二个不同之场效电晶体(1)(2)具有电极材料不同的电极层。如申请专利范围第1项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有由一种液体施覆造成之不同厚度的半导体层(13)(23)。如申请专利范围第1项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有由一液体施覆之不同的半导体层(13)(23)，其半导体材料不同。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有由一种液体施覆的半导体层(13)(23)，其导电性不同。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有厚度不同的绝缘层(14)(24)。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有不同的绝缘层(14)(24)，其绝缘材料不同。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有不同的绝缘层(14)(24)，其渗透性不同。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有不同的构造化层，其构造化面积不同。如申请专利范围第8项之电子构件，其中：该层设计成条带状且具有不同的长度及/或不同的厚度。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)相邻设置。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设置成上下重叠。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设置成具相同朝向。如申请专利范围第12项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设置成底闸极或顶闸极的朝向方式。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设置成具不同的朝向。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)具有不同的内电阻走势及/或不同的切换性质。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个场效电晶体(1)(2)互相并联及/或串联。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个场效电晶体(1)(2)之间的连接系利用场效电晶体(1)(2)的电极(11)(12)(15)(21)(22)(25)的电流式及/或电容式耦合造成。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设计成具有共同的闸极电极(15)。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设计成具有互补之导通类型的半导体材料，其中第一场效电晶体(1)设有p导通半导体层(13)，第二场效电晶体(2)设有n导通半导体层，或反之，第一场效电晶体设有n导通半导体层，第二场效电晶体设有p导通半导体层。如申请专利范围第19项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)的直接相邻界的半导体层(13)(23)构成一个具有p/n过渡区或具有n/p过渡区的区域。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)在空间上设在一基质(10)上的方式，使该电子构件可主要利用一层层式的印刷及/或刮覆而制造。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该至少二个不同的场效电晶体(1)(2)设计成可印刷的半导体聚合物及/或可印刷的绝缘聚合物及/或可导电的印刷颜料及/或金属层的形式。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该构成电子构件的层具有可溶性之有机层，包含由聚合物材料及/或寡聚物材料及/或由「小分子」及/或「奈米分子」构成的材料形成的层。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该可溶有机层的厚度可利用其溶剂比例调整。如申请专利范围第23项之电子构件，其中：该可溶性层的厚度可利用其施覆量调整。如申请专利范围第1或第2项之电子构件，其中：该电子构件由一多层性可挠性膜体构成。如申请专利范围第1项之电子构件，其中：该电子构件设计成可挠性电子电路形式，可配合装置的轮廓。 |
