| 发明名称 | 半导体器件及制造该半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在半导体基板上以及位于所述半导体基板上的栅极上形成阻挡膜；在所述阻挡膜上形成金属层；选择性地蚀刻所述金属层和所述阻挡膜以形成所述栅极之间的触头图案；在所述触头图案的侧壁上形成间隙壁；在所述触头图案和所述栅极上形成层间绝缘膜；以及抛光所述层间绝缘膜以露出所述触头图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101266942B | 申请公布日期 | 2010.11.17 |
| 申请号 | CN200810006006.4 | 申请日期 | 2008.01.18 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 裴在俊 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L23/532(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 顾红霞;张天舒 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：在基板上以及位于所述基板上的栅极上形成阻挡膜；在所述阻挡膜上形成金属层；选择性地蚀刻所述金属层和所述阻挡膜，以形成露出所述栅极的孔，从而获得填充在所述栅极之间的触头图案；在所述触头图案的侧壁上形成间隙壁；在所述触头图案和所述栅极上形成层间绝缘膜；以及抛光所述层间绝缘膜以露出所述触头图案。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||