具有带易于浮岛形成的台阶式沟槽的电压维持层的功率半导体器件的制造方法

摘要

提供了一种形成功率半导体器件的方法。本方法开始于提供第二导电类型的衬底，然后在衬底上形成电压维持区。电压维持区通过在衬底上沉积第一导电类型的外延层并在外延层中形成至少一个台阶式沟槽而形成。台阶式沟槽具有多个宽度不同的部分，以在其间界定至少一个环形的突部。沿沟槽的多个壁沉积阻挡材料。第二导电类型的掺杂剂经过一层形成于环形突部和所述沟槽底部内表面的阻挡材料被注入外延层的相邻部分。掺杂剂扩散，以在外延层中形成环形的掺杂区和在环形的掺杂区下面形成至少一个其它区。

主权项

一种形成功率半导体器件的方法，包括步骤：A.提供第二导电类型的衬底；B.通过以下步骤在所述衬底上形成电压维持区：1.在所述衬底上沉积外延层，所述外延层具有第一导电类型；2.在所述外延层中形成至少一个台阶式沟槽，所述台阶式沟槽具有不同宽度的多个部分，以在其间界定至少一个环形突部；3.沿所述沟槽的多个壁和底部沉积阻挡材料；4.将第二导电类型的掺杂剂经过一层形成于所述至少一个环形突部和所述沟槽的底部的内表面的所述阻挡材料，注入所述外延层的多个相邻部分；5.扩散所述掺杂剂，以形成在所述外延层中的至少一个环形的掺杂区和在所述外延层中的所述环形的掺杂区下面的至少一个其它区；6.在所述台阶式沟槽中沉积填充材料，以基本填充所述台阶式沟槽；以及C.在所述电压维持区之上形成至少一个所述第二导电类型的区，以在其间界定结。