| 主权项 |
一种用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，所述全晶片布局具有主要晶片图案，所述用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法包含：(a)以多边形图案来围绕所述主要晶片图案；以及(b)执行微影规则检验，所述微影规则检验包括使用所述多边形图案来为旁瓣搜寻所述主要晶片图案。如申请专利范围第1项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，其中所述多边形为八变形、十六边形以及三十二边形中之一者。如申请专利范围第2项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，其中所述多边形为八边形。如申请专利范围第2项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，其中所述多边形为十六边形。如申请专利范围第2项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，其中所述多边形为三十二边形。如申请专利范围第1项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，更包含：(c)以误差旗标来标记所述旁瓣之位置。一种用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，所述全晶片布局具有主要晶片图案，所述用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法包含：(a)以圆形图案来围绕所述主要晶片图案；以及(b)执行微影规则检验，所述微影规则检验包括使用所述圆形图案来为旁瓣搜寻所述主要晶片图案。如申请专利范围第7项所述之用于侦测全晶片布局中之旁瓣的方法，更包含：(c)以误差旗标来标记所述旁瓣之位置。 |
