| 主权项 |
一种式(I)表示的错合物，@sIMGTIF!d10001.TIF@eIMG!其中，M为Cu；其中R1、R2、R3和R4彼此独立地为氢原子；具有CnH2n+1通式的烷基，其中n为1至20的数；具有(R5)3Si通式的烷基矽烷，其中R5彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺；含有6至18个碳原子的芳基；含有6至18个碳原子的烷基取代的芳基；含有1至20个碳原子的醯胺基团；和硝基NO2，其中选择性的取代基R1和R2，R2和R3，和R3和R4中的至少之一相连接形成环结构；其中L为配位基，选自一氧化碳；含有2至20个碳原子的烷基腈；具有(R6)3SiCN通式的甲矽烷基腈，其中R6彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的炔；具有(R7)3SiCCR8通式的甲矽烷基炔，其中R7彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺，且R8彼此独立地为氢原子，含有1至20个碳原子的烷基或烷氧基；具有(R9)3SiCCSi(R9)3通式的双(甲矽烷基)炔，其中R9彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺；含有1至20个碳原子的烯烃；含有1至20个碳原子的二烯；含有1至20个碳原子的三烯；具有(R10)3SiC(R17)C(R17)2通式的甲矽烷基烯，其中R10彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；具有(R11)3SiCR17CR17Si(R11)3通式的双(甲矽烷基)烯，其中R11各自独立地为含有1至20个碳原子的烷基、烷氧基或含有1至20个碳原子的醯胺，且R17各自独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；含有3至20个碳原子的丙二烯；具有(R12)2CCC(R12)2通式的丙二烯，其中，R12彼此独立地为氢原子、烷基、烷基矽烷，烷氧基矽烷或具有通式(R13)3Si的醯胺基矽烷，其中R13彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基；含有1至20个碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲矽烷基胩，其中R14彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17CC(R17)2通式的烯丙基矽烷，其中R15为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3通式的双(甲矽烷基)烯丙基，其中R16含有1至20个碳原子，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和其中M和L之间的有机金属键选自2个单键和1个单键。如申请专利范围第1项所述的错合物，其中取代基R1和R2，R2和R3，和R3和R4中的至少之一相连接形成环结构。如申请专利范围第2项所述的错合物，其中取代基R3和R4相连接形成环结构。如申请专利范围第2项所述的错合物，其中取代基R1和R2相连接形成环结构。一种在基材上沉积含金属膜的方法，该方法包括：将具有式(I)的金属错合物与基材接触，其中所述接触在足以使错合物能够反应并形成膜的条件下进行，@sIMGTIF!d10002.TIF@eIMG!其中，M为Cu；其中R1、R2、R3和R4彼此独立地为氢原子；具有CnH2n+1通式的烷基，其中n为1至20的数；具有(R5)3Si通式的烷基矽烷，其中R5彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺；含有6至18个碳原子的芳基；含有6至18个碳原子的烷基取代的芳基；含有1至20个碳原子的醯胺基团；和硝基NO2，其中选择性的取代基R1和R2，R2和R3，和R3和R4中的至少之一相连接形成环结构；其中L为配位基，选自一氧化碳；含有2至20个碳原子的烷基腈；具有(R6)3SiCN通式的甲矽烷基腈，其中R6彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的炔；具有(R7)3SiCCR8通式的甲矽烷基炔，其中R7彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺，且R8彼此独立地为氢原子、含有1至20个碳原子的烷基或烷氧基；具有(R9)3SiCCSi(R9)3通式的双(甲矽烷基)炔，其中R9彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺或；含有1至20个碳原子的烯烃；含有1至20个碳原子的二烯；含有1至20个碳原子的三烯；具有(R10)3SiC(R17)C(R17)2通式的甲矽烷基烯，其中R10彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；具有(R11)3SiCR17CR17Si(R11)3通式的双(甲矽烷基)烯，其中R11彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基、烷氧基或含有1至20个碳原子的醯胺，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；含有3至20个碳原子的丙二烯；具有(R12)2CCC(R12)2通式的丙二烯，其中，R12各自独立地为氢原子、烷基、烷基矽烷、烷氧基矽烷或具有(R13)3Si通式的醯胺基矽烷，其中R13彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基；含有1至20个碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲矽烷基胩，其中R14彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17CC(R17)2通式的烯丙基矽烷，其中R15为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3通式的双(甲矽烷基)烯丙基，其中R16含有1至20个碳原子，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和其中M和L之间的有机金属键选自2个单键和1个单键。一种含有含金属膜的电子器件，其中所述膜是由含有至少一个具有式(I)的错合物的前驱物混合物沉积得到的：@sIMGTIF!d10003.TIF@eIMG!其中，M为Cu；其中R1、R2、R3和R4彼此独立地为氢原子；具有CnH2n+1通式的烷基，其中n为1至20的数；具有(R5)3Si通式的烷基矽烷，其中R5彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺；含有6至18个碳原子的芳基；含有6至18个碳原子的烷基取代的芳基；含有1至20个碳原子的烷氧基；含有1至20个碳原子的醯胺基团；和硝基NO2，其中选择性的取代基R1和R2，R2和R3，和R3和R4中的至少之一相连接形成环结构；其中L为配位基，选自一氧化碳；含有2至20个碳原子的烷基腈；具有(R6)3SiCN通式的甲矽烷基腈，其中R6彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的炔；具有(R7)3SiCCR8通式的甲矽烷基炔，其中R7彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺，且R8彼此独立地为氢原子、含有1至20个碳原子的烷基或烷氧基；具有(R9)3SiCCSi(R9)3通式的双(甲矽烷基)炔，其中R9彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺；含有1至20个碳原子的烯烃；含有1至20个碳原子的二烯；含有1至20个碳原子的三烯；具有(R10)3SiC(R17)C(R17)2通式的甲矽烷基烯，其中R10彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；具有(R11)3SiCR17CR17Si(R11)3通式的双(甲矽烷基)烯，其中R11彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基、烷氧基或含有1至20个碳原子的醯胺，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；含有3至20个碳原子的丙二烯；具有(R12)2CCC(R12)2通式的丙二烯，其中，R12彼此独立地为氢原子、烷基、烷基矽烷、烷氧基矽烷或具有(R13)3Si通式的醯胺基矽烷，其中R13彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基；含有1至20个碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲矽烷基胩，其中R14彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17CC(R17)2通式的烯丙基矽烷，其中R15为含有1至20个碳原子的醯胺、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3通式的双(甲矽烷基)烯丙基，其中R16含有1至20个碳原子，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和其中M和L之间的有机金属键选自2个单键和1个单键。一种制备具有式(I)的金属错合物的方法，@sIMGTIF!d10004.TIF@eIMG!其中，M为Cu；R1、R2、R3和R4彼此独立地为氢；具有CnH2n+1结构的烷基，其中n为1至20的数；具有(R5)3Si通式的烷基矽烷，其中R5彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺基；含有6至18个碳原子的芳基；含有6至18个碳原子的烷基取代的芳基；含有1至20个碳原子的醯胺基；硝基NO2，其中选择性的取代基R1和R2，R2和R3，和R3和R4中的至少之一相连接形成环结构；其中L为配位基，选自一氧化碳；含有2至20个碳原子的烷基腈；具有(R6)3SiCN通式的甲矽烷基腈，其中R6彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的炔；具有(R7)3SiCCR8通式的甲矽烷基炔，其中R7彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺基，且R8彼此独立地为氢、含有1至20个碳原子的烷基或烷氧基；具有(R9)3SiCCSi(R9)3通式的双(甲矽烷基)炔，其中R9彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷氧基、烷基或醯胺基；含有1至20个碳原子的烯烃；含有1至20个碳原子的二烯；含有1至20个碳原子的三烯；具有(R10)3SiC(R17)C(R17)2通式的甲矽烷基炔，其中R10彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺基、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；具有(R11)3SiCR17CR17Si(R11)3通式的双(甲矽烷基)炔，其中R11彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基、烷氧基或含有1至20个碳原子的醯胺基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；含有3至20个碳原子的丙二烯；具有(R12)2CCC(R12)2通式的丙二烯，其中，R12彼此独立地为氢原子、烷基、烷基矽烷，烷氧基矽烷或具有(R13)3Si结构的醯胺基矽烷，其中R13彼此独立地为含有1至20个碳原子的醯胺基、烷基或烷氧基；含有1至20个碳原子的烷基胩；具有(R14)3SiNC通式的甲矽烷基胩，其中R14彼此独立地为含有1至20个碳原子的烷基；含有1至20个碳原子的烯丙基；具有(R15)3SiC(R17)2R17CC(R17)2通式的烯丙基矽烷，其中R15为含有1至20个碳原子的醯胺基、烷基或烷氧基，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；和具有(R16)3SiC(R17)2CR17CR17Si(R16)3通式的双(甲矽烷基)烯丙基，其中R16含有1至20个碳原子，且R17彼此独立地为氢原子或含有1至20个碳原子的烷基；且其中M和L之间的有机金属键选自2个单键和1个单键，该方法包括：将β-二酮化合物与第一胺反应得到β-酮基亚胺中间产物；并在金属源和配位基(L)的存在下用硷将β-酮基亚胺中间产物去质子化，生成具有式(I)的铜错合物。一种Cu(I)(MeC(O)CHC(NMe)Me)(三甲基乙烯基矽烷)的错合物，其中Me为甲基。一种式(I)表示的错合物，@sIMGTIF!d10005.TIF@eIMG!其中，M为Cu；其中R1、R3和R4彼此独立地为具有CnH2n+1通式的烷基，其中n为1至6的数；R2为氢原子；其中L为(C1-C6烷基)3乙烯基矽烷的配位基；和其中M和L之间的有机金属键选自2个单键和1个单键。一种在基材上沉积含金属膜的方法，该方法包括：将具有如申请专利范围第9项所述的具有式(I)的金属错合物与基材接触，其中所述接触在足以使错合物能够反应并形成膜的条件下进行。一种含有含金属膜的电子器件，其中所述膜是由含有至少一个如申请专利范围第9项所述的具有式(I)的错合物的前驱物混合物沉积得到的。一种制备如申请专利范围第9项所述的具有式(I)金属错合物的方法，该方法包含：将β-二酮化合物与第一胺反应得到β-酮基亚胺中间产物；并在金属源和配位基(L)的存在下用硷将β-酮基亚胺中间产物去质子化，生成具有式(I)的铜错合物。 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