| 发明名称 | NMOS一次可编程器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NMOS一次可编程器件，包括左右两NMOS，左边的NMOS的漏区即为右边的NMOS的源区，右边的NMOS栅为浮栅，左边的NMOS栅极接字线，右边的NMOS漏极接位线。本发明的NMOS一次可编程器件，不仅大大节省芯片面积，而且制造工艺过程中无需增加光刻步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN101872646A | 申请公布日期 | 2010.10.27 |
| 申请号 | CN200910057117.2 | 申请日期 | 2009.04.23 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈华伦;陈瑜;熊涛;罗啸;陈雄斌 |
| 分类号 | G11C17/08(2006.01)I;G11C17/12(2006.01)I | 主分类号 | G11C17/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王江富 |
| 主权项 | 一种NMOS一次可编程器件，其特征在于，包括左右两NMOS，左边的NMOS的漏区即为右边的NMOS的源区，右边的NMOS栅为浮栅，左边的NMOS栅极接字线，右边的NMOS漏极接位线。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||