发明名称 |
有机薄膜晶体管、其制造方法、和包括其的平板显示器 |
摘要 |
本发明公开了一种有机薄膜晶体管(OTFT)、一种制造这样的OTFT的方法、和包括这样的OTFT的有机电致发光(EL)显示器。所述OTFT具有由于使用氟基气体表面处理对应于沟道区的基底的部分以稳定沟道区而改善了的特性。所述方法包括:处理基底表面的预定部分;在未被表面处理的基底的部分上形成源电极和漏电极;形成半导体层以接触所述基底的表面处理过的部分;在所述基底上形成栅绝缘层;并且在所述栅绝缘层上形成栅极。所述基底使用例如CF4或C3F8的氟基气体进行等离子体表面处理。 |
申请公布号 |
CN1870316B |
申请公布日期 |
2010.10.27 |
申请号 |
CN200610089815.7 |
申请日期 |
2006.05.24 |
申请人 |
三星移动显示器株式会社 |
发明人 |
徐旼彻;朴容佑;牟然坤 |
分类号 |
H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/05(2006.01)I |
代理机构 |
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 |
代理人 |
余朦;王达佐 |
主权项 |
一种薄膜晶体管,包括:基底,包括接触沟道区的第一区、和不接触所述沟道区的第二区,其中所述第一区和第二区具有彼此不同的表面特性,所述基底的第一区的表面使用氟基气体进行等离子体处理;源电极和漏电极,布置在第二区上;半导体层,包括接触所述基底的第一区的沟道区,其中所述半导体层包括有机半导体材料;栅极绝缘层,形成在所述半导体层上;以及栅极,布置在所述栅极绝缘层上,其中所述半导体层包括沟道区,所述沟道区具有通过接触所述基底的第一区而改变的表面。 |
地址 |
韩国京畿道 |