半导体存储器件及其制造方法

摘要

本发明公开一种半导体存储器件及其制造方法，该半导体存储器件及其制造方法降低了在高度集成的半导体器件的存储节点触点与位线之间产生的寄生电容值。该制造半导体器件的方法包括：在晶胞区域的有源区中形成埋入式字线；在晶胞区域形成绝缘层并在外围区域中形成栅极的下电极层，并使绝缘层所在的高度大致等于下电极层所在的高度；以及在晶胞区域和外围区域上设置第一导电层以形成位线层和上电极层。

主权项

一种制造半导体存储器件的方法，包括：在晶胞区域的有源区中形成埋入式字线；在所述晶胞区域中形成绝缘层并在外围区域中形成栅极的下电极层，从而使所述绝缘层所在的高度大致等于所述下电极层所在的高度；以及在所述晶胞区域和所述外围区域上设置第一导电层以形成位线层和上电极层。