| 发明名称 | 离子扩散及半导体器件形成的方法 | ||
| 摘要 | 一种离子扩散及半导体器件形成的方法。其中离子扩散的方法，包括：向待注入层内注入离子，形成离子注入层；将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。本发明将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。超声波在液体中传输的速率快，且不需要将液体温度升高，即能使液体产生振动，在振动能量的驱使下离子能够扩散均匀，并且扩散速度加快，降低了工艺成本，提高了工艺效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101866837A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910049561.X | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王津洲 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种离子扩散的方法，其特征在于，包括：向待注入层内注入离子，形成离子注入层；将离子注入层放入超声波液体槽内，使离子扩散均匀。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||