| 发明名称 | 用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法 | ||
| 摘要 | 在一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法中，对选择的位线预充电。向所有字线顺序地施加通过电压。被施加到从所有字线中选择的字线的通过电压被改变为读取电压。读取电压被施加到所选择的字线。读取被耦合到所选字线的存储单元的数据。 | ||
| 申请公布号 | CN101866694A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910246523.3 | 申请日期 | 2009.11.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 朱锡镇 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 杨林森;康建峰 |
| 主权项 | 一种用于对非易失性存储设备执行读取操作的方法，所述方法包括：对选择的位线预充电；向所有字线顺序地施加通过电压；把向在所有字线当中选择的字线施加的所述通过电压改变为读取电压；向所选择的字线施加所述读取电压；以及读取被耦合到所选择的字线的存储单元的数据。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道利川市 | ||