为增强湿法边缘清洁而进行斜面等离子体加工

摘要

说明书中描述的各实施方式提供除去该斜面边缘上的不想要的沉积物以提高处理良率的改进的机制。各实施方式提供了加工镀铜的衬底的斜面边缘以将该斜面边缘处的铜转化为能用相对比铜有高的蚀刻选择性的流体湿法蚀刻的铜化合物的装置和方法。在一个实施方式中，该铜化合物以对铜的高选择性的湿法蚀刻允许在湿法蚀刻处理室中除去衬底斜面边缘处的铜。该斜面边缘处的等离子体加工允许斜面边缘的铜以离该衬底的最边缘约2mm或更低，比如约1mm、约0.5mm或约0.25mm的精确的空间控制被除去。上述除去斜面边缘的铜的装置和方法没有铜蚀刻流体被喷溅到该器件区域上而导致铜膜的缺陷和变薄的问题。因此，良率可以大大提高。

主权项

一种加工衬底的斜面边缘上的铜膜以将该铜膜转化为将通过湿法蚀刻除去的铜化合物的方法，包含：将该衬底放在等离子体加工室中的衬底支座上；将加工气体通过嵌入气体分配板中的气体进口流入，其中该气体分配板被置于离该衬底支座一定距离上；在该衬底的该斜面边缘附近产生加工等离子体以将该衬底的该斜面边缘上的该铜膜转化为铜化合物，其中产生的该加工等离子体将离该衬底的最边缘小于约2mm的铜膜转化为该铜化合物；以及将该衬底放入有湿法蚀刻流体的湿法蚀刻装置中以除去该斜面边缘上的该铜化合物。