光生伏打电池制造

摘要

本发明公开了一种制造至少一个半导体光生伏打电池或模块以及用于对半导体材料进行分类的方法(300)。在一种实现方式(500)中，所述方法涉及到在所述制造工艺的多个阶段(312-324)当中的每一个阶段对晶片进行发光成像，以及把获得自关于相同晶片的所述成像步骤的至少两个图像进行比较以便识别出制造工艺引发的瑕疵的发生或增大。如果所识别出的工艺引发的瑕疵超出预定的可接受度水平，则从所述制造工艺(310)中移除(351-356)所述晶片，或者可以补救所述缺陷或者将所述晶片传递到其他制造工艺以匹配其特性。在替换实现方式中，所述方法包括对半导体材料进行分类。所述方法例如包括以下步骤：提供至少两个晶片；获得每一个晶片的发光图像；对所述图像进行比较以确定所述晶片的电结构相似性；以及把具有预定电结构相似性水平的晶片分组到同一族。本发明的方法适用于确定多种形式的机械不规则性、电不规则性以及外观不规则性。

主权项

一种制造至少一个半导体光伏器件的方法，所述方法包括以下步骤：获得与半导体光伏器件制造工艺的至少一个阶段相关联的至少一个半导体晶片的多个图像；对所述多个图像中的至少两个图像进行比较，以便识别出瑕疵的发生或增大；以及确定所识别出的这种瑕疵的发生或增大是否超出预定的可接受度水平。