发明名称 有机器件以及具有该有机器件的电子设备
摘要 提供一种有机器件用电极以及具有该有机器件用电极的电子装置。通过将在单一的有机化合物(111)上混合了电子注入用金属(112)(功函数小于等于4.2(eV)的金属)和空穴注入用金属(113)(功函数比4.2(eV)大的金属)的载流子注入电极层(110)设置在有机器件的有机层(100)和金属电极(101)之间、或者第一有机层(100a)和第二有机层(100b)之间,根据施加电压时的极性,发挥电子注入功能或者空穴注入功能,能够扩大有机器件的应用范围。<img file="200480024315.4_ab_0.GIF" wi="210" he="186" />
申请公布号 CN1843062B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200480024315.4 申请日期 2004.08.24
申请人 株式会社半导体能源研究所 发明人 筒井哲夫;熊木大介
分类号 H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I 主分类号 H01L51/50(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 岳耀锋
主权项 一种有机器件,包括:基板;在所述基板上方的第一栅电极;覆盖所述第一栅电极且与所述第一栅电极接触地形成的第一栅绝缘膜;与所述第一栅绝缘膜接触地形成的第一源/漏电极;在所述第一源/漏电极的上方接触地形成以及在所述第一栅绝缘膜的一部分的上方形成的电子输运层;在所述电子输运层的上方接触地形成以及在所述第一栅电极的上方形成的电极;在所述电极和所述电子输运层的部分的上方接触地形成的空穴输运层;在所述空穴输运层的上方接触地形成以及在所述第一源/漏电极的上方形成的第二源/漏电极;在所述第二源/漏电极和所述空穴输运层的一部分的上方接触地形成的第二栅绝缘膜;以及在所述第二栅绝缘膜的上方接触地形成以及在所述电极上方形成的第二栅电极,其中,所述电极包括功函数小于等于4.2eV的金属、功函数大于4.2eV的金属和有机化合物。
地址 日本神奈川