| 发明名称 |
发光二极管 |
| 摘要 |
本发明涉及一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其中，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。 |
| 申请公布号 |
CN101859856A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
| 申请号 |
CN201010192156.6 |
申请日期 |
2010.06.04 |
| 申请人 |
清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
发明人 |
朱振东;李群庆;范守善 |
| 分类号 |
H01L33/20(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
一种发光二极管，其包括：一基底；一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一侧，且所述第一半导体层靠近基底设置；一第一电极与所述第一半导体层电连接；一第二电极与所述第二半导体层电连接；其特征在于，进一步包括多个三维纳米结构以阵列形式设置于第二半导体层的远离基底的表面，且所述三维纳米结构为阶梯状结构。 |
| 地址 |
100084 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心401室 |
