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Ein aus einem Polysiliciumfilm (55) hergestelltes Diaphragma (5) ist über einer ersten Hauptoberläche eines Siliciumsubstrates (1) vorgesehen. Vier Messwiderstände (7) sind auf der oberen Fläche des Diaphragmas (5) vorgesehen. Ein Durchgangsloch (30) zum Freilegen der Bodenfläche des Diaphragmas (5) ist in dem Siliciumsubstrat (1) gebildet. Ein Ankerabschnitt (20) zum Anbringen des Diaphragmas (5) auf dem Siliciumsubstrat (1) ist zwischen dem Diaphragma (5) und dem Siliciumsubstrat (1) in einer Weise vorgesehen, dass umfangsmäßig ein Öffnungsende des Durchgangsloches (30) umgeben ist, das an der Seite angeordnet ist, die der ersten Hauptoberfläche zugewandt ist. Folglich kann ein Halbleiterdrucksensor mit einem Diaphragma von reduzierter und wenig variierender Dicke erzielt werden.
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