| 发明名称 | 在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种在绝缘体上的半导体的半导体器件，具有金属或硅化物源和漏接触区(38，40)，激活的源和漏区(30，32)和体区(34)。该结构可以是双栅极SOI结构或完全耗尽(FD)的SOI结构。通过使用衬垫(28)和用接触区代替了半导体层的整个厚度的工艺，得到了锐利的层间和低电阻。 | ||
| 申请公布号 | CN1969391B | 申请公布日期 | 2010.10.06 |
| 申请号 | CN200580019318.3 | 申请日期 | 2005.06.06 |
| 申请人 | NXP股份有限公司 | 发明人 | R·叙尔迪努;G·多恩波斯;Y·波诺马雷夫;J·罗 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/45(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张天舒 |
| 主权项 | 一种制造晶体管的方法，包括：在绝缘体衬底上提供具有在绝缘体(4)上的半导体层(6)的半导体；在半导体层上面限定上绝缘栅极(8)；在栅极的两侧上的半导体层中注入源和漏区(24，26)，在上绝缘栅极(8)下面在源和漏区(24，26)之间留下体区(34)；在上绝缘栅极(8)的侧面上形成绝缘衬垫(28)；将非晶注入剂注入到源和漏区以限定半导体层(6)的非晶区(36)，非晶区(36)构成半导体层(6)的总厚度，除了被栅极(8)或衬垫(28)保护的部分之外，留下由栅极(8)或衬垫(28)保护的体区(34)周围的源和漏区(30，32)；以及通过用金属替代半导体层(6)的非晶区(36)，来形成与源和漏区(30，32)接触的金属接触(62，64)；其中所述替代包括：使用选择性蚀刻来除去半导体层(6)的非晶区(36)，所述选择性蚀刻选择性地除去半导体层(6)的非晶区(36)，而不除去所述源和漏区(30，32)；和沉积分别与源和漏区(30，32)接触的金属源和漏接触(38，40)。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||