发明名称 一种微波衰减器材料及其制备方法
摘要 本发明涉及一种微波衰减器材料及其制备方法,特别涉及一种AlN-Mo微波衰减器材料及其制备方法,属于微波电子真空技术领域,其包括金属相Mo:20~25vol.%;烧结助剂CaF2:2~5vol.%;其余为介质相AlN;采用浆料包覆法制备AlN-Mo复合粉体,再经过单向轴压成型,然后进行冷等静压成型,得到AlN-Mo复合生坯;将生坯置于ZrO2或AlN坩埚中进行氮气氛下常压烧结,即得到AlN-Mo复合块体材料。本发明方法降低了烧结温度,缩短了烧结时间,提高了金属-介质复合微波衰减材料的烧结致密度,利于批量生产;可获得高致密度、无缺陷及均匀性、一致性好的金属-介质微波衰减器材料。
申请公布号 CN101851720A 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200910080974.4 申请日期 2009.03.31
申请人 北京有色金属研究总院 发明人 董桂霞;马书旺;于红;毛昌辉;杨志民;杜军
分类号 C22C29/16(2006.01)I;C22C1/05(2006.01)I 主分类号 C22C29/16(2006.01)I
代理机构 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 代理人 耿小强
主权项 一种微波衰减器材料,其特征在于:其包括金属相Mo:20~25vol.%;烧结助剂CaF2:2~5vol.%;其余为介质相AlN。
地址 100088 北京市海淀区新街口外大街2号
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