发明名称 高负电动势多面体倍半硅氧烷组合物及无损坏半导体湿式清洁方法
摘要 一种用以自集成电路基板移除微粒物质的组合物,包括(a)一或多种不含金属离子的碱;(b)多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的鎓盐;(c)氧化剂;和(d)不含金属离子的水,及由合并包括(a)、(b)、(c)和(d)的成份而得的组合物。一种用以自集成电路装置表面移除微粒物质的方法,包括在表面施用包括(a)、(b)、(c)和(d)的组合物或在表面施用由合并包括(a)、(b)、(c)和(d)的成份而得的组合物。
申请公布号 CN101855334A 申请公布日期 2010.10.06
申请号 CN200880115634.4 申请日期 2008.11.12
申请人 沙琛公司 发明人 郝建军
分类号 C11D11/00(2006.01)I;H05K3/26(2006.01)I;H01L21/306(2006.01)I;C11D3/08(2006.01)I;C11D3/16(2006.01)I;C11D7/14(2006.01)I;C11D7/22(2006.01)I;C11D3/02(2006.01)I;C11D7/06(2006.01)I;C11D3/39(2006.01)I;C11D3/395(2006.01)I 主分类号 C11D11/00(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 周长兴
主权项 一种组合物,包含:(a)一或多种不含金属离子的碱;(b)多面体倍半硅氧烷的水溶性不含金属离子的盐;(c)氧化剂;和(d)不含金属离子的水。
地址 美国德克萨斯州