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一种离子源，其包括一腔体及设置于该腔体中之一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，该阴极靠近该阴极灯丝设置，该屏极、加速极及可调屏极依次远离该阴极设置，且其上之电位依次降低，该可调屏极包括一通孔，该通孔大小及形状可调，从而可利用该通孔调节射出之离子束截面大小及形状。如申请专利范围第1项所述之离子源，其中该阴极上设置有一阴极遮蔽，该阴极遮蔽用于防止该阴极受正离子损伤，该阴极遮蔽之材质为氧化铝、氧化镁或二氧化矽。如申请专利范围第1项所述之离子源，其中该腔体之外壳为石英材质。如申请专利范围第1项所述之离子源，其中该离子源还包括一正离子中和装置，用于发射电子以中和该离子源发射出之离子束。如申请专利范围第4项所述之离子源，其中该正离子中和装置为热丝式中和器或电浆桥式中和器。一种模具抛光装置，其包括一离子源，该离子源用于发射抛光离子束，该离子源包括一腔体及设置于该腔体中之一阴极灯丝、一阴极、一屏极、一加速极及一可调屏极，该阴极靠近该阴极灯丝设置，该屏极、加速极及可调屏极依次远离该阴极设置，该可调屏极包括一通孔，该通孔大小及形状可调，从而可利用该通孔调节射出之离子束截面大小及形状。如申请专利范围第6项所述之模具抛光装置，其中该阴极上设置有一阴极遮蔽，该阴极遮蔽用于防止该阴极受正离子损伤，该阴极遮蔽之材质为氧化铝、氧化镁或二氧化矽。如申请专利范围第6项所述之模具抛光装置，其中该离子源为射频离子源或微波离子源。如申请专利范围第6项所述之模具抛光装置，其中该离子源还包括一正离子中和装置，用于发射电子以中和该离子源发射出之离子束。如申请专利范围第9项所述之模具抛光装置，其中该正离子中和装置为热丝式中和器或电浆桥式中和器。如申请专利范围第6项所述之模具抛光装置，其还包括一检测系统及一控制系统，该检测系统用于检测待抛光基底表面粗糙度，该控制系统根据检测到之粗糙度进行抛光动作。如申请专利范围第11项所述之模具抛光装置，其中该表面粗糙度检系统包括菲索干涉仪、偏振光干涉式显微镜、诺玛斯基显微镜或等色序条纹干涉仪。如申请专利范围第11项所述之模具抛光装置，其中该模具之抛光装置还包括一存储器，用于存储待抛光模具表面结构资料。如申请专利范围第11项所述之模具抛光装置，其中该表面结构信息包括长度、宽度及表面微结构资料。 |
