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L'invention concerne un composant de modulation électro-optique, en particulier sur un substrat de type SOI, amélioré pour de meilleures performances dans les débits supérieurs à 10 Gb/s. Cette amélioration est obtenue en diminuant l'influence des effets capacitifs de la structure et de son environnement, et plus particulièrement dans lequel : - L'influence de la capacité de la structure elle-même est limitée par une diminution de la résistance d'accès, ou - L'influence de l'effet capacitif de l'environnement est diminué par une modification de la structure du ou des substrats à l'aplomb de la région active, ou - une combinaison de ces caractéristiques. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un tel composant, ainsi qu'un dispositif ou système incluant un tel composant. Ces améliorations sont applicables aux procédés d'assemblage par intégration 3D et aux circuits hybrides électroniques et optiques.
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