| 发明名称 | 磁电阻效应元件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及磁电阻效应元件及其制造方法，特别是涉及利用简单的溅射成膜法制作的具有极高磁电阻比的磁电阻效应元件及其制造方法。该磁电阻效应元件包含由一对强磁性层和位于其中间的势垒层组成的积层结构，至少一个强磁性层的至少与势垒层接触的部分为非晶态，势垒层是具有单晶结构的MgO层。 | ||
| 申请公布号 | CN1755963B | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN200510098765.4 | 申请日期 | 2005.09.07 |
| 申请人 | 佳能安内华股份有限公司;产业技术总合研究所 | 发明人 | 大卫·D.贾亚普拉维拉;恒川孝二;长井基将;前原大树;山形伸二;渡边直树;汤浅新治 |
| 分类号 | H01L43/08(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I;H01L27/22(2006.01)I;G11C11/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L43/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 张敬强 |
| 主权项 | 一种磁电阻效应元件，包含：由第一强磁性层、第二强磁性层和位于所述第一强磁性层和第二强磁性层之间的势垒层组成的积层结构；以及位于所述第一强磁性层侧的基板，其特征在于：所述势垒层自与所述第一强磁性层的界面至与所述第二强磁性层的界面，在层厚度方向上，具有(001)面与界面平行取向的单晶结构的MgO；所述第一强磁性层的至少与所述势垒层接触的部分为非晶态。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||