| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的一种方式的目的之一在于提供具备使用氧化物半导体层并具有优良的电特性的薄膜晶体管的半导体装置。半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；栅电极和氧化物半导体层之间的绝缘层；包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，源区及漏区使用退化的氧化物半导体材料或氧氮化物材料。 | ||
| 申请公布号 | CN101847661A | 申请公布日期 | 2010.09.29 |
| 申请号 | CN201010149895.7 | 申请日期 | 2010.03.26 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 坂田淳一郎;岸田英幸;大原宏树;佐佐木俊成;山崎舜平 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/34(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 秦晨 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：绝缘表面上的栅电极；包含氧化硅的氧化物半导体层；所述栅电极和所述包含氧化硅的氧化物半导体层之间的绝缘层；以及所述包含氧化硅的氧化物半导体层与源电极层及漏电极层之间的源区及漏区，其中，所述源区及漏区包括退化的氧化物半导体材料或退化的氧氮化物材料。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||