| 发明名称 | 借助衬底板、尤其是DCB陶瓷衬底板制造和接触电子器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种接触至少一个未装壳体的电子器件(1)、尤其是功率器件或者半导体功率器件的方法，所述电子器件具有至少一个分别布置在上侧(3)和/或下侧(5)的用于固定和/或电接触的连接面(7)。将提供一种对至少一个未装壳体的电子器件进行的低成本的电接触，该电子器件尤其是用于大于1000伏的高压范围的、尤其是功率器件或者半导体功率器件，其中所述电子器件具有用于在上侧(3)和/或下侧(5)进行固定和/或电接触的连接面(7)。另外，还将提供所述接触的高集成度、低电感特性、高电流承载能力、有效的冷却、和/或在电和热循环载荷方面的高度可靠性。器件(1)利用其下侧(5)在连接面(7)的范围内分别与衬底(11)、尤其是DCB陶瓷衬底上的相对的连接面(9)相固定和/或电接触；并且在连接面(7)的范围之外并且超出下侧(5)，在衬底(11)朝向器件(1)的侧产生电隔离的载体膜(13)；上侧(3)的接触面(7)分别与形成预成形的三维结构的、延伸超出上侧(3)的面的导电导体件(15)相固定和/或电接触，其中在载体膜(13)与导体件(15)的三维结构之间产生有电隔离的块件(17)。 | ||
| 申请公布号 | CN101842887A | 申请公布日期 | 2010.09.22 |
| 申请号 | CN200880113760.6 | 申请日期 | 2008.08.04 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | A·卡尔滕巴克;R·韦因克;M·卡斯帕;G·希梅塔;K·韦德纳;J·扎普弗 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I;H01L23/538(2006.01)I;H01L21/98(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 刘春元;李家麟 |
| 主权项 | 一种接触至少一个未装壳体的电子器件(1)、尤其是功率器件或者半导体功率器件的方法，所述电子器件具有至少一个分别布置在上侧(3)和/或下侧(5)的用于固定和/或电接触的连接面(7)，其特征在于，-将所述器件(1)利用其下侧(5)固定到超出下侧(5)的面的电隔离载体膜(13)上；-将上侧(3)的接触面(7)分别与形成预成形的三维结构的、延伸超出上侧(3)的面的导电导体件(15)相固定和/或电接触；-在载体膜(13)与导体件(15)的三维结构之间产生电隔离的块件(17)；-在连接面(7)的范围内从下侧(5)去除载体膜(13)；-将下侧(5)的连接面(7)分别与衬底(11)、尤其是利用电导体被预先结构化的DCB陶瓷衬底上的同连接面(7)之一相对的连接面(9)相固定和/或电接触。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||