发明名称 等离子体处理装置和等离子体处理方法
摘要 本发明提供一种等离子体处理装置和等离子体处理方法。在将处理对象物收容在处理室内进行等离子体处理的等离子体处理中,在放电检测传感器接收根据等离子体放电的变化而诱发的电位变化的信号,并作为表示电位变化的信号数据暂时记录在信号记录部中,参照记录的信号数据,由信号解析部抽取放电开始波的计数值、异常放电的计数值、微小电弧放电的计数值等表示等离子体放电状态的指标数据,通过由装置控制部监视指标数据而判定等离子体放电的状态,执行为了适当地进行等离子体处理动作的重试处理、累积等离子体处理、维修判定处理。
申请公布号 CN101842879A 申请公布日期 2010.09.22
申请号 CN200880114295.8 申请日期 2008.11.27
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 野野村胜;水上达弘
分类号 H01L21/3065(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I;H05H1/46(2006.01)I 主分类号 H01L21/3065(2006.01)I
代理机构 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人 龙淳;刘春成
主权项 一种将处理对象物收容在处理室内进行等离子体处理的等离子体处理装置,其特征在于,包括:形成所述处理室的真空腔室;配置在所述处理室内的电极部;将所述处理室内真空排气的真空排气部;对所述处理室内供给等离子体产生用气体的气体供给部;通过对所述电极部施加高频电压使所述处理室内产生等离子体放电的高频电源部;匹配器,其使产生所述等离子体放电的等离子体放电回路与所述高频电源部的阻抗匹配;放电检测传感器,其至少具有板状的电介质部件和探针电极,所述电介质部件按照其一方的面与所述处理室内产生的等离子体放电相对的方式安装在所述真空腔室中,所述探针电极配置在所述电介质部件的另一方的面;信号记录部,其接收在所述探针电极根据所述等离子体放电的变化而诱发的电位变化的信号,并将该信号作为信号数据暂时记录;信号解析部,其参照记录在所述信号记录部的所述信号数据,抽取表示所述等离子体放电的状态的指标数据;和装置控制部,其控制所述真空排气部、所述气体供给部和所述高频电源部执行等离子体处理动作,并且通过监视由所述信号解析部抽取的所述指标数据判定所述等离子体放电的状态,执行用于适当地进行所述等离子体处理动作的规定的处理,所述信号解析部检测出:伴随表示在所述处理室内等离子体放电正常开始的放电开始的电位变化、伴随表示在所述处理室内产生异常的等离子体放电的异常放电的电位变化、以及伴随因所述处理室内的异物的附着堆积而产生的微小电弧放电的电位变化,进而通过求得这些电位变化的产生频率抽取所述指标数据,所述装置控制部至少执行以下处理中的一项处理:所述等离子体放电未正常开始的情况下反复执行放电开始动作的重试处理;检测到所述异常放电,中断等离子体处理后再次开始对同一处理对象物的等离子体处理的再次等离子体处理;以及判定是否需要对于所述异物的附着堆积采取对策的维修判定处理。
地址 日本大阪