多阶存储单元非易失性存储器的双重编程方法

摘要

本发明公开了一种用以双重编程电荷捕捉存储器的多位存储单元中多阶存储单元的方法。电荷捕捉存储器包括多个电荷捕捉存储单元。此双重编程方法以两阶段进行，一预先编程阶段及一后编程阶段，并且适用于电荷捕捉存储器的一字线(一字线中的一区段(segment)、一字线中的一页、一编程单元或一存储单元)。编程单元可通过不同种类或不同范围的输入数据加以定义，例如一个编程单元可定义为单一字线中的一部分(如一页、一群组或一区段)。其中每一个群组均选择用来与其它同一字线中的群组依序或平行地进行预先编程(pre-program)或预先编程验证(pre-program-verify)。

主权项

一种用以双重编程电荷捕捉存储器的多位存储单元中多阶存储单元的方法，该电荷捕捉存储器具有一电荷捕捉存储单元阵列，该阵列连接于多条字线，各条字线连接于多个电荷捕捉存储单元，各个电荷捕捉存储单元具有一第一电荷捕捉点及一第二电荷捕捉点，其特征在于，该方法包括：接收一数据；在一预先编程阶段期间，沿一条字线并对应该数据的该多个电荷捕捉存储单元进行一预先编程操作以及一预先编程验证操作，该预先编程操作是沿该字线编程该多个电荷捕捉存储单元至一预先编程电平，该预先编程电平小于一预定编程电压电平，该预先编程验证操作是沿该字线验证该多个电荷捕捉存储单元中的电荷捕捉存储单元至一预先编程验证电平，该预先编程验证电平小于一预定编程验证电平；以及在一后编程阶段期间，沿该字线进行该多个电荷捕捉存储单元的一后编程操作以及一后编程验证操作，该后编程操作是沿该字线编程该多个电荷捕捉存储单元至一后编程电平，该后编程电平与该预定编程电压电平相等，该后编程验证操作沿该字线验证该多个电荷捕捉存储单元至一后编程验证电平，该后编程验证电平与该预定编程验证电平相等。