| 发明名称 | 形成半导体器件的方法和多操作模式晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种多操作模式晶体管，其中利用具有不同的个别操作特征的多个沟道(15)。多个沟道(15)具有可独立调整的临界电压(threshold voltage)。该临界电压的独立调整包括提供以下的至少一个：在不同的沟道(15)中的不同的个别掺杂浓度、用于分隔开该沟道(15)的不同的栅极电介质(14a-14c)的不同的个别栅极电介质厚度、以及用于该不同的沟道(15)的不同的个别硅沟道厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN101322250B | 申请公布日期 | 2010.09.15 |
| 申请号 | CN200680045060.9 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | J·帕恩;J·佩尔兰 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟 |
| 主权项 | 一种形成半导体器件的方法，包括以下步骤：形成多个沟道(15)；在该多个沟道(15)上形成栅极电极(16)；以及对每个沟道(15)独立地调整临界电压，其中：该形成多个沟道(15)的步骤包含：形成第一栅极电介质(14a)、在该第一栅极电介质(14a)上的第一多晶硅沟道(15)、在该第一多晶硅沟道(15)上的第二栅极电介质(14b)、在该第二栅极电介质(14b)上的第二多晶硅沟道(15)，以及在该第二多晶硅沟道(15)上的第三栅极电介质(14c)；以及该独立地调整临界电压的步骤包含：提供以下的至少一个：在该第一与第二多晶硅沟道(15)中的不同的掺杂物浓度；用于该第一、第二与第三栅极电介质(14a、14b、14c)的不同的栅极电介质厚度；以及用于该第一与第二多晶硅沟道(15)的不同的多晶硅沟道厚度。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||