用肖特基源极触点实施的隔离栅极沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管单元

摘要

本发明公开一种半导体功率组件，其包括若干功率晶体管记忆胞，该记忆胞被开设于一半导体衬底中的沟槽所围绕。至少一半导体记忆胞进一步包括一开设在沟槽之间的沟槽式源极触点，此沟槽式源极触点穿过一源极区而进入一本体区中，从而将源极区与位于一绝缘层上方的源极金属电性连接，此沟槽式源极触点的沟槽底部表面更覆盖着一导电性材料，使作用就如一集成式肖特基势垒二极管在该有源记忆胞中。一隔离结构位于沟槽式栅极的底部并与沟槽式栅极绝缘，从而对沟槽式栅极与肖特基二极管两者提供屏蔽效应。

主权项

一种半导体功率组件，其特征在于，包括若干功率晶体管单元，其被若干开设在半导体衬底之上的沟槽所围绕，其中：至少一个所述单元构成一具有源区的有源单元，该源区与沟槽式栅极相邻，该沟槽式栅极被栅极材料填满，且该沟槽电性连接至一栅极衬垫并围绕所述的有源单元，该沟槽式栅极进一步具有一填充了低势垒高度金属层的底部隔离电极，其设置在该沟槽式栅极下方并与该沟槽式栅极绝缘；至少一个所述单元构成一连接单元，该连接单元被所述沟槽所围绕，所述沟槽部分具有连接沟槽的功能，其填充有低势垒高度金属层，从而作为连接电极之用，将该底部隔离电极与直接设置在所述连接沟槽顶部的金属之间作电性连接；及至少一有源单元进一步包括一沟槽式源极触点，该沟槽式源极触点开设在相邻沟槽之间，该沟槽式源极触点穿过一源区进入一本体区域，从而电性连接该源区与设置在一绝缘层顶部的源极金属，该沟槽式源极触点的沟槽底部表面被一低势垒高度金属层覆盖，具有一集成式肖特基势垒二极管在该有源单元中的作用。